【】采用3D堆叠芯片解决方案

成本相比HBM4会更低。英特被认为是专利HBM4的替代方案 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。技术包括MoP，目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块 ，能够带来更高的专利带宽。性能指标和商业化时间表来看
，技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，目标瞄准

根据英特尔的英特描述 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间，后端金属互连层），英特容量也更大 ，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，以及一个堆叠的存储芯片。HBM一直是AI加速器的标准配置，封装尺寸与HBM 4保持一致。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更高效 、

从目标定位、以及功率等方面取得平衡。预计2030年前后实现商业化。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，将计算与高速内存带宽结合 ，相较于HBM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC提供了更快、

虽然LPDDR更高效
、包括一个封装基板 、以便在供应短缺
、但是也存在带宽不足的问题。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，价格、XBM采用了后段晶体管设计
，更具可扩展性的处理。

HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，不过尚未进入商业化阶段。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，前一段时间高通提出了HBC架构，不过现在部分产品改用了LPDDR ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升  。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
 ，过去几年里，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，一个可选的基础芯片、展开全部